Die Lösung, die Samsung und TSMC heute einsetzen (mT)
um hohe Feldstärken auf kürzeste Längenskalen (einstellige Nanometer-Dimensionen) zu isolieren,
ist Atomic Layer Deposition (ALD), mit HfO2 etc.
Sogenannte High-k dielectrics. Auch ZrO2 ist möglich,
https://en.wikipedia.org/wiki/High-%CE%BA_dielectric
Die Technologie wurde in Finnland zur Marktreife entwickelt in Aalto und Helsinki und von Picosun und Beneq vermarktet.
Vergiß die DDR Technologie.
DT